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BSS806NH6327XTSA1  与  BSS806NE H6327  区别

型号 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NE H6327
唯样编号 A-BSS806NH6327XTSA1 A-BSS806NE H6327
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 41mΩ
上升时间 - 9.9ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 1.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 529pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 8V
正向跨导 - 最小值 - 9S
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.7nC @ 2.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 2.3A
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 57 毫欧 @ 2.3A,2.5V -
Vgs(最大值) ±8V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,2.5V -
下降时间 - 3.7ns
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 - 12ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 750mV @ 11uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS806
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.3A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 20V -
典型接通延迟时间 - 7.5ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS806NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

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阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.309
750: ¥1.166
809 对比
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